中心助理教授孙广宇关于“多核系统中基于新型存储器工艺的高能效缓存设计研究”的项目，获得国家自然科学基金青年科学基金支持。
项目期限：2013年1月 — 2015年12月。
项目简介：新型存储器工艺（如MRAM 和PCM 等）作为SRAM 的替代工艺受到越来越多的关注和研究。这些存储工艺具单位面积存储密度高，静态功耗低等优点。在多核系统的缓存体系中使用这些存储工艺，有助于提高系统性能并降低功耗。然而，对基于新型工艺缓存的访问操作在性能和功耗等方面存在“非对称性”，并且在工艺扰动的影响下显得更加突出。这一特性已成为采用这些新存储工艺的一个主要障碍。本课题研究如何在多核系统中，利用这些新型存储工艺设计高能效的缓存。主要研究内容包括：（1）考虑工艺扰动的影响对新型存储工艺在器件和电路级建模；（2）基于模型开发能够根据不同系统规格要求优化缓存电路设计的仿真器（3）针对新型工艺缓存的非对称性提出结构改进和管理策略的优化。通过以上研究，本项目可以帮助缓存设计者根据多核系统的设计规格快速的选择合适的存储工艺和设计参数，同时利用结构级优化技术进一步提高缓存的性能并降低功耗。
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